SiC用高溫離子注入設(shè)備 IH-860DSIC 搭載了高溫ESC（靜電吸附卡盤）的面向SiC量產(chǎn)用的高能粒子注入裝置。

研究開發(fā)用中電流離子注入設(shè)備IMX-3500 中電流離子注入裝置IMX-3500為大能量200keV、對應(yīng)大晶圓尺寸8inch的離子注入裝置，適用于大學(xué)等機(jī)構(gòu)的研究開發(fā)。

高能對應(yīng)離子注入設(shè)備SOPHI-400 可達(dá)2400KeV的高能離子注入設(shè)備。

可對應(yīng)低速高濃度的離子注入設(shè)備SOPHI-30 低加速、高濃度對應(yīng)的離子注入設(shè)備。

離子注入機(jī)是高壓小型加速器中的一種，應(yīng)用數(shù)量最多。它是由離子源得到所需要的離子，經(jīng)過加速得到幾百千電子伏能量的離子束流，用做半導(dǎo)體材料、大規(guī)模集成電路和器件的離子注入，還用于金屬材料表面改性和制膜等。